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厂商型号

MRF6S21190HR3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880 T/R

内部编号

146-MRF6S21190HR3

#1

数量:75
1+¥1442.9924
25+¥1339.8995
100+¥1284.8088
500+¥1234.1098
1000+¥1172.3928
最小起订金额:¥₩600
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MRF6S21190HR3产品详细规格

规格书 MRF6S21190HR3 datasheet 规格书
MRF6S21190HR3 datasheet 规格书
文档 RF Devices 01/Jul/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 2.11GHz
增益 16dB
电压 - 测试 28V
额定电流 10µA
噪声系数 -
电流 - 测试 1.6A
Power - 输出功率 54W
电压 - 额定 68V
包/盒 NI-880
供应商器件封装 NI-880
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3NI-880
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 68 V
最大门源电压 -0.5|12 V
工作温度 -65 to 200 °C
安装 Screw
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Transistors RF MOSFET Power
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 68 V
源极击穿电压 - 0.5 V, 12 V
最高工作温度 + 150 C
封装/外壳 NI-880
封装 Reel
最低工作温度 - 65 C
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Power
寿命 Obsolete
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 68V
供应商设备封装 NI-880
电压 - 测试 28V
频率 2.11GHz
增益 16dB
电流 - 测试 1.6A
额定电流 10µA
功率 - 输出 54W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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